2016年12月14日

大日本印刷(DNP)は、半導体用フォトマスクの製造において描画時間を大幅に短縮することが可能なマルチ電子ビームマスク描画装置を導入し、次世代半導体用フォトマスクの生産体制を強化する。

 

現在の半導体は、十数ナノメートル(nm)の回路パターンを3次元(3D)構造でシリコンウェハに形成するなど微細化が進んでいる。半導体の製造は、フォトリソグラフィ技術を使用しているが、光の波長などの特性によって解像度に限界が生じるため、フォトマスクを複数枚使ってシリコンウェハの一つの層を形成する多重露光技術や、光の特性を考慮して補正した複雑なパターンをフォトマスクに施す光学補正技術などを活用している。しかし、多重露光ではフォトマスクの枚数が増え、光学補正ではフォトマスク1枚の描画時間が長くなるという課題がある。
 
10nmプロセス向け以降の次世代半導体用フォトマスクの製造では、パターン描画工程だけで数日かかる場合もあり、今後の微細化の進展で更に長くなることが想定されることから、描画時間を短縮する製造方法が求められていた。
 
これに対しDNPは、フォトマスク専業メーカーとして世界で初めて*マルチ電子ビームマスク描画装置を導入してフォトマスクの描画時間を大幅に短縮し、高い生産性を可能とすることで次世代半導体用フォトマスクの生産体制を強化する。
 
 

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