2016年06月06日

大日本印刷は、デジタル製品の記憶媒体である3D(3次元)構造のNAND型フラッシュメモリーの回路パターンを形成する際に使用が見込まれるナノインプリントリソグラフィ(NIL)のテンプレート(型)の生産設備において40億円の追加設備投資を実施し、量産体制を強化する。

 

DNPは、従来からNILのテンプレート供給及び開発に注力しており、今回、3D構造のNAND型フラッシュメモリーの大幅な需要増加と低コスト化に対応するために、10nm台のNIL用テンプレートの生産体制を増強する。

 

近年、NAND型フラッシュメモリーの需要が急速に増加している。特にメモリーセルを垂直に配置した3D構造の同メモリーは、データ容量を飛躍的に増やせるため、スマートフォンやデータセンター向けに大幅な需要増加が見込まれている。市場では、NAND型フラッシュメモリーの出荷額が2015年の300億ドル前半に対して2018年には500億ドル台に達し、その70%以上が3D構造になると予測されている(ガートナー社)。しかし、従来のフォトリソグラフィ技術による半導体製造方法では、工程が複雑な3D構造への対応が困難で、製造装置が高価になるなど、製造コストの増加が課題となっている。

 

 

この課題に対し、NILを活用した製造方法は、テンプレートから直接回路パターンを転写して複製するため、高価な光学系の設備を使用せず、比較的安価な露光装置での製造が可能。また、製造工程も簡略化できるため、従来のフォトリソグラフィ技術による製造方法に比べ、約3分の1のコストダウンに繋がる革新的な半導体製造技術として注目されている。

 

○ナノインプリントリソグラフィ 基材上の樹脂などに金型を圧着して、nm(ナノメートル:10-9メートル)からμm(マイクロメートル:10-6メートル)単位のパターンを安定的かつ安価で転写する微細加工技術。

 

 

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