2016年02月26日

凸版印刷は、次世代半導体製造技術であるEUV露光で、周辺部への不要な光の反射を抑え、最先端半導体に対応した次世代EUVフォトマスクを開発した。

 
2016年度内に半導体メーカーへのサンプル出荷を行うとともに、2017年度の本格的な量産を開始する予定。今後、本技術を活用し次世代EUVフォトマスクの業界標準化を目指す。

 
周辺への不要な光の反射を抑える構造をEUVフォトマスクの表面に作製し、パターン周辺部分の微細化を実現したことは、世界初だという。

 

ビックデータの分析や人工知能の利用、自動車の自動運転技術の実用化など、半導体の高性能化のニーズが高まるなか、次世代の半導体製造技術であるEUV露光に注目が集まっている。EUV露光が実用化されることで、半導体の微細化が進み、現在よりも小型・高速・低消費電力のプロセッサーを製造することが可能となる。

 

 

EUV露光による半導体の製造プロセスでは、光源からの光がEUVフォトマスクによって反射され、シリコン基板上にパターンを形成。光源からの光には、パターニングに必要なEUV光だけでなく、パターニングに不必要なさまざまな波長の光(アウト・オブ・バンド、OOB光)も含まれている。
このOOB光によりシリコン基板上のパターン周辺部分が正確に形成されない、という問題があった。
この問題を解決するため、凸版印刷はEUVフォトマスク上のパターン外周部に配置され、EUV光の不要な反射を抑える遮光帯とよばれる部分に改良を加えた。凸版印刷の保有する微細加工技術や光学設計技術を発展・融合させ、特殊な3次元構造をEUVフォトマスク上の遮光帯部分に製作し、より光源からの光を制御した次世代EUVフォトマスクを開発した。

 

 

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